четверг, 14 февраля 2013 г.

выбор класса напряжения силовых полупроводниковых диодов

Глава 5. МЕТОДЫ И СРЕДСТВА ОГРАНИЧЕНИЯ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА ДИОДЫ И ТИРИСТОРЫ ПО ТОКУ И НАПРЯЖЕНИЮ В НОРМАЛЬНЫХ И АВАРИЙНЫХ РЕЖИМАХ РАБОТЫ

Глава 4. РАСЧЕТ И ВЫБОР ДИОДОВ И ТИРИСТОРОВ. УСЛОВИЙ ИХ ОХЛАЖДЕНИЯ И РАСЧЕТ СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ ТИРИСТОРАМИ

Глава 3. ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ ДЛЯ РАСЧЕТА И ВЫБОРА ДИОДОВ И ТИРИСТОРОВ И УСЛОВИЙ ИХ ОХЛАЖДЕНИЯ

Необходимо отметить, что между нарастающим прямым током в процессе установления проводящего состояния диода и падением напряжения на нем наблюдается емкостный сдвиг по фазе, обусловленный наличием диффузионной емкости . Эта емкость определяется как отношение приращения заряда избыточных неосновных носителей, накопленных в р- и n-слоях структуры, к соответствующему приращению прямого напряжения на переходе.

Физические процессы в самом диоде могут оказывать влияние на процесс нарастания прямого тока только при временах до нескольких десятков микросекунд. За это время заканчивается процесс модуляции проводимости диода, после чего скорость нарастания прямого тока, а также его установившееся значение определяются напряжением источника питания и сопротивлением внешней цепи (при условии, что прямым напряжением на диоде можно пренебречь из-за его малости).

Рис. 1.7. Процесс выключения диода

Рис. 1.6. Вольт-амперная характеристика тиристора типа. в открытом состоянии и ее линейная и степенная (-----) аппроксимации: .

При изменении полярности напряжения источника с обратной на прямую из-за инжекции неосновных носителей заряда электропроводность полупроводниковой структуры диода резко увеличивается и через него начинает протекать прямой ток .

Под процессом включения диода понимается динамический процесс перехода диода из непроводящего состояния в проводящее.

Переходный процесс включения силового полупроводникового диода.

Для отображения сканов страниц необходимо включить JavaScript в настройках браузера.

научная-библиотека.рф

избранных естественно-научных изданий

Научная библиотека

Поиск в библиотеке:

Переходный процесс включения силового полупроводникового диода.

Комментариев нет:

Отправить комментарий